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近来，哥伦比亚大学的Lingjie Du（通讯作者）等人在闻名期刊Nature Communications上宣布题为“Emerging many-body effects in semiconductor artificial graphene with low disorder”的研讨论文，文中报导了在高迁移率的GaAs量子阱（QW）上实现了低无序半导体AG。研讨人员制备出了小周期三角形的反点晶格，用以明显抑制加工扰动对电子的影响，从而在所成长的QWs上坚持了高质量状态。这一成就使调查到受交流库仑相互作用的团体鞍点自旋激子成为可能，所调查到的库仑交流相互作用能量与M点处狄拉克带的能隙适当，这表明准粒子相互作用与AG势能之间的相互影响。在低无序的AG晶格中调查团体鞍点自旋激子以及所呈现的相对大的库仑相互作用都表明在AG中是以电子-电子相互作用效应为主导的体系，这就可以探究一些在石墨烯中无法得到的多体效应。